[发明专利]一种高电阻率高熵合金薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201910435478.X | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110129732B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 程兴旺;孙小尧;蒋雯;王梦;徐子祁;谭友德;张洪梅;刘安晋 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/35;C22C30/00;C23C14/02 |
| 代理公司： | 北京正阳理工知识产权代理事务所(普通合伙) 11639 | 代理人： | 邬晓楠 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高电阻率高熵合金薄膜及其制备方法，属于多主元合金薄膜材料领域。本发明涉及一种新型高电阻率高熵合金薄膜及其制备方法。新型高熵合金薄膜成分含有六元非等比例的铁、钴、镍、铝、锰、钨元素，原子百分比分别为25％至35％、25％至35％、10％至25％、5％至15％、5％至15％、5％至10％。制备步骤包括超声清洗基片、制备复合靶、真空室抽真空后充氩气、预溅射、加热基片和溅射六部分。所制得的薄膜样品表面光滑，厚度均匀，组织细小，结构为单相BCC固溶体，无相分离或金属间化合物产生。本方法可制备出高硬度高电阻率的新型磁性高熵合金薄膜，厚度为500～2000nm,电阻率最高可达1800μΩ.m左右。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻率 合金 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电阻率高熵合金薄膜，其特征在于：由6种元素构成：原子百分比25％至35％的铁、原子百分比25％至35％的钴、原子百分比10％至25％的镍、原子百分比5％至15％的铝、原子百分比5％至15％的锰、原子百分比5％至10％的钨。
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