[发明专利]监控退火设备控温性能的方法有效
| 申请号： | 201910436278.6 | 申请日： | 2019-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110137112B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 李楠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种监控退火设备控温性能的方法，包括：提供监控晶圆，所述监控晶圆在退火前后的热波变化量与退火温度之间具有一线性关系；测量监控晶圆在设定温度下退火前后的热波，得到第一热波值和第二热波值；根据第一热波值和第二热波值的差值以及所述线性关系，获得与所述差值对应的实际退火温度；对比设定温度与实际退火温度的偏离程度，判断监控的退火设备的控温性能。本发明提供的监控退火设备控温性能的方法可以对退火设备在低温退火时的控温性能进行有效和准确的监控。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 退火 设备 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种监控退火设备控温性能的方法，其特征在于，包括：提供一监控晶圆，所述监控晶圆在退火前后的热波变化量与退火温度之间具有一线性关系；测量退火前的所述监控晶圆的热波，得到第一热波值；将所述监控晶圆放入监控的退火设备中，并在设定温度下进行退火；取出所述监控晶圆，并测量退火后的所述监控晶圆的热波，得到第二热波值；计算第一热波值和第二热波值的差值；利用所述线性关系，获得与所述差值对应的实际退火温度；以及通过所述设定温度与实际退火温度的偏离程度，判断监控的退火设备的控温性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
