[发明专利]良柔性三明治型PN结电存储器件

摘要

本发明公开了良柔性三明治型PN结电存储器件，其制备方法包括以下步骤，将溶液旋涂在处理过的导电基底上，然后进行退火处理，制备PN结型电存储材料；而后在PN结型电存储材料上制备电极，得到良柔性三明治型PN结电存储器件。针对目前电存储材料的环境及高温稳定性差，重复性差，运输和利用过程中易损坏等问题，通过旋涂的方式，将化合物A‑PC60BM制备为铝/化合物A‑PC60BM/ITO玻璃三明治结构的阻变式随机存储器（WORM），成功实现了较高性能的电存储行为，其制备过程简单，器件环境及高温稳定性好，重复性好，柔性好等对于电存储技术的研究扩大了材料来源以及增加其实用价值具有重要意义。

主权项

1.良柔性三明治型PN结电存储器件，其特征在于，所述良柔性三明治型PN结电存储器件的制备方法包括以下步骤，将溶液旋涂在处理过的导电基底上，然后进行退火处理，制备PN结型电存储材料；而后在PN结型电存储材料上制备电极，得到良柔性三明治型PN结电存储器件；所述溶液由化合物A、PCBM与溶剂组成，化合物A的化学结构式如下：。