[发明专利]一种碳化硅MOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201910437440.6 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110212031A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 吴燕庆;王欣;李学飞 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅MOS器件及其制备方法，包括：对碳化硅外延片的上表面进行第一次氧化处理，得到第一氧化层，并在所述第一氧化层的上表面沉积高介电常数介质层；对由碳化硅外延片和高介电常数介质层构成的层叠结构进行退火处理；在退火处理之后的高介电常数介质层的上表面制备栅电极，得到碳化硅MOS器件。本发明引入高介电常数材料作为介质层，高介电常数材料通过沉积的方式层叠在碳化硅外延片上，得到的介质层的厚度比较均匀，同时避免了氧化碳化硅时碳残余导致的碳化硅和介质层界面处的界面态较大的问题。另外，通过在高介电常数介质层和碳化硅外延片之间增加一层氧化硅，进一步有效提高了碳化硅和介质层之间的界面质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 高介电常数介质层 碳化硅外延 介质层 上表面 高介电常数材料 退火处理 氧化层 沉积 制备 氧化碳化硅 制备栅电极 层叠结构 厚度比较 氧化处理 界面处 界面态 氧化硅 引入 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅MOS器件的制备方法，其特征在于，包括：步骤1、对碳化硅外延片的上表面进行第一次氧化处理，得到第一氧化层，并在所述第一氧化层的上表面沉积高介电常数介质层；步骤2、对由所述碳化硅外延片和所述高介电常数介质层构成的层叠结构进行退火处理；步骤3、在所述退火处理之后的所述高介电常数介质层的上表面制备栅电极，得到碳化硅MOS器件。
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