[发明专利]一种双面钝化接触的P型高效电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种双面钝化接触的P型高效电池的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗制绒；S2、正面多晶硅制备；S3、制备掩膜；S4、刻蚀；S5、扩散；S6、清洗；S7、退火；S8、背面多晶硅层制备；S9、正面SiNx减反射层制备；S10、印刷。本发明还公开了一种双面钝化接触的P型高效电池，包括P型单晶硅，所述N型发射极远离P型单晶硅设置有正面超薄氧化硅层；所述P型单晶硅背面设置有背面超薄氧化硅层。本发明在电池的正反两面均利用隧道氧化层钝化接触结构，具备良好的表面钝化效果，在正面金属栅线正下方和背面铝背场下方对硅表面进行了钝化，避免了金属与硅基的直接接触，减小表面复合，提升电池转换效率。

主权项

1.一种双面钝化接触的P型高效电池，包括P型单晶硅(1)，其特征在于：所述P型单晶硅(1)正面设置有N型发射极(4)，所述N型发射极(4)远离P型单晶硅(1)设置有正面超薄氧化硅层(2)，所述正面超薄氧化硅层(2)上方设置有N型多晶硅层(3)，且正面超薄氧化硅层(2)同一平面的两侧设置有氧化层(5)，所述N型多晶硅层(3)和氧化层(5)上方设置有SiNx减反射层(8)，且N型多晶硅层(3)上设置有Ag栅线(9)，所述Ag栅线(9)穿过SiNx减反射层(8)连接于N型多晶硅层(3)上；所述P型单晶硅(1)背面设置有背面超薄氧化硅层(6)，所述背面超薄氧化硅层(6)远离P型单晶硅(1)一侧设置有P型多晶硅层(7)，所述P型多晶硅层(7)下方设置有Al背场(10)。