[发明专利]具有带单元的半导体器件

摘要

提供了具有带单元的半导体器件，半导体器件包括第一阱，具有第一导电类型并且沿着第一方向延伸；第二阱和第三阱，具有第二导电类型并且在第二方向上设置在第一阱的相对侧上；位单元的第一阵列和位单元的第二阵列，设置在第一阱至第三阱上方；带单元，设置在第一阱至第三阱上并且设置在第一阵列和第二阵列之间，包括第一阱拾取区域和第二阱拾取区域，具有第一带电类型，设置在第一阱上，在第一方向上彼此分隔开，以及第三阱拾取区域和第四阱拾取区域，具有第二导电类型并且分别设置在第二阱和第三阱上；第一导电图案和第二导电图案，分别电连接至第一阱拾取区域和第二阱拾取区域；以及第三导电图案，电连接至第三阱拾取区域和第四阱拾取区域。

主权项

1.一种半导体器件，包括:/n第一阱，具有第一导电类型并且沿着第一方向延伸；/n第二阱和第三阱，具有第二导电类型并且在第二方向上设置在所述第一阱的相对侧上；/n位单元的第一阵列和位单元的第二阵列，设置在所述第一阱至所述第三阱上方；/n带单元，设置在所述第一阱至所述第三阱上方并且设置在所述第一阵列和所述第二阵列之间，所述带单元包括：/n第一阱拾取区域和第二阱拾取区域，具有所述第一导电类型并且设置在所述第一阱上方并且在所述第一方向上彼此分隔开，所述第一阱拾取区域和所述第二阱拾取区域的掺杂浓度大于所述第一阱的掺杂浓度；以及/n第三阱拾取区域和第四阱拾取区域，具有不同于所述第一导电类型的所述第二导电类型，并且分别设置在所述第二阱和所述第三阱上方，以及在所述第二方向上彼此分隔开，所述第三阱拾取区域和所述第四阱拾取区域的掺杂浓度大于所述第二阱和所述第三阱的掺杂浓度；/n第一导电图案和第二导电图案，分别电连接至所述第一阱拾取区域和所述第二阱拾取区域并且在所述第一阱拾取区域和所述第二阱拾取区域上方延伸；以及/n第三导电图案，电连接至所述第三阱拾取区域和所述第四阱拾取区域并且在所述第三阱拾取区域和所述第四阱拾取区域上方延伸。/n