[发明专利]TFT基板和包括该TFT基板的显示装置有效
| 申请号： | 201910438971.7 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110534528B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 申东菜;柳元相;孙庚模 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H10K59/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种TFT基板和包括该TFT基板的显示装置，包括：基板；以及在所述基板上的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括：有源图案层，所述有源图案层由多晶硅制成，所述有源图案层包括沟道部分、源极部分和漏极部分，并且所述有源图案层包括在晶粒之间的边界处形成的突起和在所述突起之间形成的凹陷空间；阻挡图案膜，所述阻挡图案膜填充所述凹陷空间，与所述突起一起形成平面；栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在所述阻挡图案膜和所述突起上；栅极，所述栅极在所述栅极绝缘层上，与所述沟道部分相对应；以及源极和漏极，所述源极和所述漏极在所述栅极绝缘层上，分别与所述源极部分和所述漏极部分接触。 | ||
| 搜索关键词： | tft 包括 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，包括：/n基板；以及/n在所述基板上的薄膜晶体管，/n其中，所述薄膜晶体管包括：/n有源图案层，所述有源图案层由多晶硅制成，所述有源图案层包括沟道部分、源极部分和漏极部分，并且所述有源图案层包括在晶粒之间的边界处形成的突起和在所述突起之间形成的凹陷空间；/n阻挡图案膜，所述阻挡图案膜填充所述凹陷空间，与所述突起一起形成平面；/n栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在所述阻挡图案膜和所述突起上；/n栅极，所述栅极在所述栅极绝缘层上，与所述沟道部分相对应；以及/n源极和漏极，所述源极和所述漏极在所述栅极绝缘层上，分别与所述源极部分和所述漏极部分接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
