[发明专利]光刻叠对校正以及光刻工艺在审
| 申请号： | 201910439073.3 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110543083A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 洪爱真;李永尧;刘恒信;王景澄;王盈盈 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 龚诗靖<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的一些实施例揭露光刻叠对校正以及光刻工艺。根据本发明的一些实施例，一种方法包含：接收晶片；在所述晶片上方界定多个区；沿着第一方向，根据一方程式针对所述多个区的各者执行多区对准补偿；及根据所述多个补偿值，针对所述多个区的各者执行晶片对准及光刻曝光。逐区执行所述晶片对准及所述光刻曝光。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻曝光 晶片对准 对准补偿 光刻工艺 接收晶片 光刻 界定 晶片 校正 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：/n接收晶片；/n在所述晶片上方界定多个区，其中各区包含多个场；/n通过沿着第一方向执行多区对准补偿来确定针对所述多个区的各者的多个补偿值；及/n根据所述多个补偿值，针对所述多个区的各者执行晶片对准。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910439073.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：产生电磁辐射的机台及方法
- 下一篇：显影装置及图像形成装置
