[发明专利]一种IGBT结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910439533.2 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110061047A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;周锦程;杨卓;叶鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种IGBT结构，包括集电极金属，集电极金属上依次设置有第一导电类型集电极区、第二导电类型缓冲层和第二导电类型外延层，第二导电类型外延层上间隔设置有沟槽，每个沟槽的底部均设置有第一导电类型阱区，相邻两个沟槽之间的第二导电类型的外延层内设置第二导电类型载流子存储层，第二导电类型载流子存储层的表面设置第一导电类型体区，第一导电类型体区的表面设置第二导电类型源区和第一导电类型源区，沟槽的侧壁设置有导电多晶硅，沟槽的底部、导电多晶硅的表面以及第二导电类型外延层的表面均设置有绝缘介质层。本发明还公开了一种IGBT结构的制作方法。本发明提供的IGBT结构提高了可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 导电类型外延层 导电类型 导电类型载流子 导电多晶硅 集电极金属 表面设置 存储层 体区 源区 半导体技术领域 绝缘介质层 集电极区 间隔设置 依次设置 缓冲层 外延层 侧壁 阱区 制作 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT结构，包括集电极金属（1），所述集电极金属（1）上依次设置有第一导电类型集电极区（2）、第二导电类型缓冲层（3）和第二导电类型外延层（4），所述第二导电类型外延层（4）上间隔设置有沟槽，其特征在于，每个所述沟槽的底部均设置有第一导电类型阱区（5），相邻两个所述沟槽之间的所述第二导电类型的外延层（4）内设置第二导电类型载流子存储层（9），所述第二导电类型载流子存储层（9）的表面设置第一导电类型体区（10），所述第一导电类型体区（10）的表面设置第二导电类型源区（12）和第一导电类型源区（11），所述沟槽的侧壁设置有导电多晶硅（6），所述沟槽的底部、所述导电多晶硅（6）的表面以及所述第二导电类型外延层（4）的表面均设置有绝缘介质层（8），所述绝缘介质层（8）的表面设置发射极金属层（13），所述发射极金属层（13）通过所述绝缘介质层（8）上的通孔与所述第二导电类型源区（12）以及所述第一导电类型源区（11）欧姆接触。
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