[发明专利]一种测量垂直结构功率器件阻断电压的装置有效
| 申请号： | 201910439705.6 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110208677B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 梁琳;韩鲁斌;陈强;徐宏伟 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学;江阴市赛英电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种测量垂直结构功率器件阻断电压的装置，包括阴极钼片、第一缓冲银片和阳极钼片；阴极钼片、第一缓冲银片和阳极钼片从上到下垂直分布，构成层叠结构；待测的垂直结构功率器件位于第一缓冲银片和阳极钼片之间；第一缓冲银片与垂直结构功率器件阴极接触，阳极钼片与垂直结构功率器件阳极接触；阴极钼片作为垂直结构功率器件阴极的外部接触端子；阳极钼片作为垂直结构功率器件阳极的外部接触端子。本发明针对无引出端子的裸芯片结构，通过堆叠的多层金属结构将电极引出，避免了测试压力对金属表面的破坏，且测过程简单，成本低，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 测量 垂直 结构 功率 器件 阻断 电压 装置 | ||
【主权项】：
1.一种测量垂直结构功率器件阻断电压的装置，其特征在于，包括阴极钼片(1)、第一缓冲银片(2)和阳极钼片(3)；所述阴极钼片(1)、第一缓冲银片(2)和阳极钼片(3)从上到下垂直分布，构成层叠结构；待测的垂直结构功率器件(6)位于所述第一缓冲银片(2)和所述阳极钼片(3)之间；所述第一缓冲银片(2)与所述垂直结构功率器件(6)的阴极接触，所述阳极钼片(3)与所述垂直结构功率器件(6)的阳极接触；所述阴极钼片(1)作为所述垂直结构功率器件(6)阴极的外部接触端子；所述阳极钼片(3)作为所述垂直结构功率器件(6)阳极的外部接触端子。
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