[发明专利]溶液法生长大尺寸碳化硅晶体的搅拌缓流装置以及设备

摘要

本发明提供一种溶液法生长大尺寸晶体的搅拌缓流装置以及设备，能够减小近壁面处的流体扰动，减小晶体壁面附近温度梯度，保障籽晶生长面附近温度场及流场的稳定性，进而有效地促进大尺寸碳化硅晶体的稳定生长。本发明所提供的搅拌缓流装置，其特征在于，包括：盛液容器，位于用于盛装晶体生长用的原料溶液；和搅拌缓流装置，包括搅拌器和缓流片，缓流片安装在搅拌器的搅拌杆的底部，并且伸入盛液容器内的原料溶液中，缓流片的底面用于安装碳化硅籽晶，并且缓流片的外径为籽晶外径的1.3倍以上。进一步，碳化硅晶体生长设备，包括：盛液容器，用于盛装晶体生长用的原料溶液；和上述搅拌缓流装置。

主权项

1.一种碳化硅晶体生长设备，其特征在于，包括：盛液容器，用于盛装晶体生长用的液态原料；和搅拌缓流装置，包括搅拌器和缓流片，所述缓流片安装在所述搅拌器的搅拌杆的底部，并且伸入所述盛液容器内的所述液态原料中，所述缓流片的底面用于安装碳化硅籽晶，并且所述缓流片的外径为所述籽晶外径的1.2倍以上。