[发明专利]具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910440262.2 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110265485B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;王彦东;孙李诚;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/338 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法。该结构的栅极采用金属‑半导体的整流接触，靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结；所述栅极为肖特基接触，所述源极和漏极为欧姆接触。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气，二维电子气具有很高的迁移率，从而使具有AlGaN/GaN异质结的横向晶体管具有很低的导通电阻。该结构具有更高的耐压、更大的电流密度，且能减小常规AlGaN/GaN中的电流崩塌，可大幅度提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 肖特基势垒 algan gan 异质结 横向 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，包括：半导体材料的衬底；位于衬底上表面的氮化镓材料的外延层；位于外延层表面的源极、栅极和漏极；其特征在于：靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结；所述栅极为肖特基接触，所述源极和漏极为欧姆接触。
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