[发明专利]具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201910440263.7 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110224032B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;王彦东;孙李诚;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/80 | 分类号： | H01L29/80;H01L29/207;H01L29/205;H01L29/20;H01L21/337 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法。该横向晶体管中，外延层对应于栅极下方的区域通过离子注入形成P型区；靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结；栅极为结型栅，源极和漏极为欧姆接触。AlGaN/GaN异质结通过自发极化和压电极化效应在异质结界面处形成高密度二维电子气，从而使具有结型栅和AlGaN/GaN异质结的横向晶体管具有很低的导通电阻。氮化镓外延层与衬底之间的异质结优化了晶体管的纵向电场分布，提高了器件的击穿电压；同时，采用结型栅可以获得增强型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结型栅 algan gan 异质结 横向 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管，包括：半导体材料的衬底；位于衬底上表面的GaN材料的外延层；位于外延层表面的源极、漏极和栅极；其特征在于：所述外延层对应于栅极下方的区域通过离子注入形成P型区；靠近漏极一侧的外延层表面还通过异质外延形成AlGaN层与漏极相接，形成AlGaN/GaN异质结；所述栅极为结型栅，源极和漏极为欧姆接触。
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