[发明专利]一种硅碳烯制备方法及其光分解水蒸气水制备氢气的方法

摘要

本发明属于半导体技术领域，公开了一种硅碳烯制备方法及其光分解水蒸气水制备氢气的方法，称量高纯石墨烯和硅烯，混合样品置于石墨舟中，在反应室圆筒状划分的四个象限内贴装四块磁铁瓦，产生静态磁场，在外围加一组线圈以产生高频电磁场。在经过样品室进行样品反应后，关闭激光器电源和电炉加热电源、高频电磁场电源，自然冷却，收集样品室的生成物，为硅碳烯。本发明硅碳烯可以通过高温条件下激光辐射硅烯和石墨烯在有碳化硅作为诱导因子且经过二次激光的辐射弱化进一步生长的条件下生长，是碳化硅的基本单元层的晶体生长，这种半导体材料的新颖特性有显示了带宽随着成分变化而变化。

主权项

1.一种硅碳烯制备方法，其特征在于，所述硅碳烯制备方法包括如下步骤：步骤一，称量高纯石墨烯和硅烯，并称重纳米碳化硅粉末以及各镓、铁纳米粉末，置于机械搅拌器中，加丙酮，密闭，搅拌，静置，取出在真空干燥箱中于烘干；步骤二，混合样品置于石墨舟中，放置载有硅烯、石墨烯和纳米碳化硅混合物的石墨舟在样品反应室的样品座上；步骤三，反应室的样品座下部安装用于加热的变频加热电炉，反应室配置飞秒激光器、真空泵、圆环样品收集器，激光器枪口的光源直射样品，反应室周围贴装磁铁瓦，产生静态磁场，并在反应室外围加线圈产生高频电磁场；步骤四，反应室发生反应前，先抽真空到10^‑3Torr，开启电炉加热，温度上到500～1000℃，再同时开启激光器，对准样品逐点扫描；步骤五，开启高频等离子体放电并且开启高频磁场，惯性约束流向，使烟尘在空中反复混合反应；步骤六，激光器辐射继续对准样品扫描，直到石墨舟中的样品被激光烧蚀完毕；步骤七，维持反应室温度500～1000℃，10分钟；步骤八，关闭激光器电源和电炉加热电源，高频电磁场电源，磁场，自然冷却，收集样品换种的生成物，为硅碳烯。