[发明专利]一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器，包括输入放大器和有源反馈支路；输入放大器包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，使用电流复用技术提高等效跨导，使用复合NMOS/PMOS交叉耦合技术实现噪声消除，从而提高增益和降低噪声系数；有源反馈支路包括第七晶体管、第八晶体管、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第三电容、第四电容、第五电容和第六电容，满足输入匹配。本发明的电路结构解决了现有全差分共源低噪声放大器中噪声、增益、输入匹配和带宽等性能相互制约的矛盾，具有低噪声系数和高增益的特点。

主权项

1.一种复合结构有源反馈宽带低噪声放大器，其特征在于：包括输入放大器和有源反馈支路；所述输入放大器由第一晶体管M₁、第二晶体管M₂、第三晶体管M₃、第四晶体管M₄、第五晶体管M₅、第六晶体管M₆、第一电容C₁、第二电容C₂、第一电阻R₁、第二电阻R₂、第三电阻R₃和第四电阻R₄组成；所述输入放大器的第一晶体管M₁的漏极接地，其源级和第三晶体管M₃的源级相连，其栅极通过第二电容C₂和第四晶体管M₄的栅极相连；第二晶体管M₂的漏极接地，其源级和第四晶体管M₄的源级相连，其栅极通过第一电容C₁和第三晶体管M₃的栅极相连；第三晶体管M₃的漏极和第五晶体管M₅的漏极相连，其漏级还与输出端口V_on相连，其源级和第一晶体管M₁的源级相连，其栅极与输入端口V_in相连；第四晶体管M₄的漏极和第六晶体管M₆的漏极相连，其漏级还与输出端口V_op相连，其源级和第二晶体管M₂的源级相连，其栅极与输入端口V_ip相连；第五晶体管M₅的漏极和第三晶体管M₃的漏极相连，其源级和电源相连，其栅极和第三晶体管M₃的栅极相连；第六晶体管M₆的漏极和第四晶体管M₄的漏极相连，其源级和电源相连，其栅极和第四晶体管M₄的栅极相连；第一电阻R₁的一端接地，另一端和第一晶体管M₁的栅极相连；第二电阻R₂的一端接地，另一端和第二晶体管M₂的栅极相连；第三电阻R₃的一端接偏置电压V_b，另一端和第五晶体管M₅的栅极相连；第四电阻R₄的一端接偏置电压V_b，另一端和第六晶体管M₆的栅极相连；第一电容C₁的一端接第二晶体管M₂的栅极，另一端接第三晶体管M₃的栅极；第二电容C₂的一端接第一晶体管M₁的栅极，另一端接第四晶体管M₄的栅极；所述有源反馈支路包括第七晶体管M₇、第八晶体管M₈、第五电阻R₅、第六电阻R₆、第七电阻R₇、第八电阻R₈、第三电容C₃、第四电容C₄、第五电容C₅和第六电容C₆；所述有源反馈支路的第七晶体管M₇的漏极和电源相连，其源级和第七电阻R₇相连，其栅极通过第三电容C₃和第五晶体管M₅的漏极相连；第八晶体管M₈的漏极和电源相连，其源级和第八电阻R₈相连，其栅极通过第四电容C₄和第六晶体管M₆的漏极相连；第五电阻R₅的一端接电源，另一端和第七晶体管M₇的栅极相连；第六电阻R₆的一端接电源，另一端和第八晶体管M₈的栅极相连；第七电阻R₇的一端接地，另一端和第七晶体管M₇的源极相连；第八电阻R₈的一端接地，另一端和第八晶体管M₈的源极相连；第三电容C₃的一端接第五晶体管M₅的漏极，另一端接第七晶体管M₇的栅极；第四电容C₄的一端接第六晶体管M₆的漏极，另一端接第八晶体管M₈的栅极；第五电容C₅的一端接第三晶体管M₃的栅极，另一端接第七晶体管M₇的源极；第六电容C₆的一端接第四晶体管M₄的栅极，另一端接第八晶体管M₈的源极。