[发明专利]一种调控甲胺基卤化铅钙钛矿单晶离子迁移的方法

摘要

本发明提供一种调控甲胺基卤化铅钙钛矿单晶离子迁移的方法，属于表面微结构加工技术领域，方法是在甲胺基卤化铅钙钛矿单晶的{100}面上沿110晶向进行微纳图形结构的加工，利用图形结构对于离子迁移的有效调控，实现原单晶100晶向上的堆积离子逐渐向110晶向堆积，从而解决因为离子堆积导致的光电器件光电转化效率小、可靠性差、寿命短的问题，在光电器件的应用中具有巨大的潜力。

主权项

1.一种调控甲胺基卤化铅钙钛矿单晶离子迁移的方法，其特征在于，包括步骤如下：在半导体单晶的表面进行加工：所述半导体单晶为甲胺基卤化铅钙钛矿单晶，在甲胺基卤化铅钙钛矿单晶{100}面上沿<110>晶向进行微纳图形结构加工；所述微纳图形结构加工方法包括：对于甲胺基氯化铅单晶和甲胺基溴化铅单晶，选择光刻或者电子束曝光进行图形转移，选择干法刻蚀或反应离子刻蚀进行刻蚀工艺；对于甲胺基碘化铅单晶，先采用激光直写、化学蚀刻工艺先行制备镂空金属箔掩膜版，再使用掩膜版配合干法刻蚀的工艺实现微纳结构的加工。