[发明专利]具有分布布拉格反射器的发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201910445132.8 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110556463B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 金艺瑟;金京完 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 姜长星;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的发光二极管芯片包括：发光结构体，包括活性层；以及分布布拉格反射器(DBR)。该DBR包括相互交替层叠的具有低折射率的第一材料层以及具有高折射率的第二材料层的对。并且，DBR针对从发光结构体发出的光的峰值波长(λ)，包括：第一区域，包括多个对，并且第一材料层以及第二材料层均具有大于0.25λ并且0.3λ以下的光学厚度；最后对，与发光结构体最远；以及第二区域，位于第一区域和最后对之间，并且第一材料层以及第二材料层均具有小于0.25λ的光学厚度，第一区域比第二区域与发光结构体更近，第二区域内的第一材料层与第二材料层相比光学厚度偏差大。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 分布 布拉格 反射 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，包括：/n发光结构体，包括活性层；以及/n分布布拉格反射器，布置在所述发光结构体的一侧，从而反射从所述发光结构体发出的光，/n所述分布布拉格反射器包括交替层叠的具有低折射率的第一材料层以及具有高折射率的第二材料层的对，所述分布布拉格反射器包括：/n第一区域，包括多个对，并且第一材料层以及第二材料层均具有大于0.25λ并且0.3λ以下的光学厚度；/n最后对，与所述发光结构体最远；以及/n第二区域，位于所述第一区域和所述最后对之间，并且第一材料层以及第二材料层均具有小于0.25λ的光学厚度，/nλ表示从所述发光结构体发出的光的峰值波长，/n在所述第二区域内，第一材料层与所述第二材料层相比光学厚度偏差大。/n
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