[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种方法，在所述方法中，制成与嵌入式存储器阵列的闪存单元基本相同的监测器单元。监测器单元与存储器阵列的单元同时形成，并因此在某些关键方面，二者可进行完全匹配。形成孔，孔延伸穿过控制栅极和介入电介质到达监测器单元的浮置栅极。为预防后续CMP工艺中的硅化物污染，在浮置栅极上形成硅化物接触件之前，在控制栅极的暴露部分上形成硅化物保护层(SPL)，比如，光刻胶保护氧化物。SPL与现有制造工艺同时形成，以避免额外的工艺步骤。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n在半导体材料晶圆上限定多个芯片；/n在所述半导体材料晶圆上限定的所述芯片中的每个上形成多个微处理器器件中的相应一个，每个所述微处理器器件包括嵌入式存储器；/n在所述半导体材料晶圆上形成监测器单元，包括：/n形成浮置栅极、控制栅极和对应的介电层；/n形成延伸穿过所述监测器单元的控制栅极的孔，并暴露所述监测器单元的浮置栅极的一部分；/n在所述监测器单元的控制栅极的一部分上形成硅化物保护层，所述控制栅极的所述一部分通过形成所述孔而暴露；以及/n在所述形成硅化物保护层之后，在所述监测器单元的浮置栅极的一部分上形成硅化物接触端子，所述浮置栅极的所述一部分通过形成所述孔而暴露。/n