[发明专利]一种纳米花状NiS@NiCo2

摘要

本发明提供了一种以NiO纳米片为基质、负载纳米花状NiS@NiCo2S4微、纳米电极材料，本发明所述的纳米花状NiS@NiCo2S4微、纳米电极材料应用在超级电容器中，具有优良的导电性、高电容和高功率密度等性能。本发明还提供了所述微、纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：(1)泡沫镍的处理；(2)NiO纳米片的制备；(3)NiO@NiCo2O4微、纳米材料的制备(4)NiS@NiCo2S4微、纳米材料的制备；本发明还提供了上述微、纳米复合材料的应用。

主权项

1.一种纳米花状NiS@NiCo₂S₄微、纳米电极材料，其特征在于：通过简单和低成本的水热法和热处理工艺在泡沫镍上原位生长NiO纳米片阵列。然后采用水热法将NiCo₂O₄纳米线沉积在NiO纳米片骨架上，形成分层的异质纳米结构。最后，用Na₂S水溶液对NiO@NiCo₂O₄复合材料进行硫化得到纳米花状NiS@NiCo₂S₄微、纳米电极材料。