[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201910449049.8 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110223989A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 章仟益 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/43;G02F1/13;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管基板及其制作方法，包括：基板；栅极层，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述栅极层上；金属氧化物层，形成于所述栅极绝缘层上；以及源漏极，分别形成于所述金属氧化物层两端，所述源漏极分別具有层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上。避免源漏极刻蚀时金属氧化物沟道受到酸腐蚀增加半导体缺陷，有效防止铜在高温等条件向下扩散至金属氧化物沟道内。无需额外添加阻挡层材料，降低了生产成本的同时，减少阻挡层材料残留导致短路等风险。 | ||
| 搜索关键词： | 源漏极 薄膜晶体管基板 金属氧化物层 第二金属层 第一金属层 金属氧化物 栅极绝缘层 阻挡层材料 层叠结构 栅极层 沟道 基板 半导体缺陷 向下扩散 短路 酸腐蚀 刻蚀 制作 生产成本 残留 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：基板；栅极层，形成于所述基板上；栅极绝缘层，形成于所述栅极层上；金属氧化物层，形成于所述栅极绝缘层上；以及源漏极，分别形成于所述金属氧化物层两端，所述源漏极分別具有层叠结构，所述层叠结构包括第一金属层及第二金属层，所述第一金属层形成于所述第二金属层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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