[发明专利]非挥发性存储器结构在审
| 申请号： | 201910449969.X | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111952314A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王子嵩;马晨亮 | 申请（专利权）人： | 力晶积成电子制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11573 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种非挥发性存储器结构，其包括基底、堆叠结构、导体柱、通道层、电荷存储结构与第二介电层。堆叠结构设置在基底上，且具有开口。堆叠结构包括交替堆叠的多个第一导体层与多个第一介电层。导体柱设置在开口中。通道层设置在堆叠结构与导体柱之间。电荷存储结构设置在堆叠结构与通道层之间。第二介电层设置在通道层与导体柱之间。上述非挥发性存储器结构可有效地提升存储器元件的电性效能及可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 存储器 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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