[发明专利]分离高铼酸根离子的印迹聚合物及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910450269.2 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110092869B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈振斌;孙元;周亦胄;柳春丽;贾维伟;陈正灿;汪润田 | 申请（专利权）人： | 兰州理工大学;中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C08F226/10 | 分类号： | C08F226/10;C08F220/06;C08F222/38;C08J9/26;B01J20/26;B01J20/30;C22B7/00;C22B61/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 730050 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种分离高铼酸根离子的印迹聚合物及其制备方法和应用，属于湿法冶金领域。该方法首先以高铼酸根(ReO |
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| 搜索关键词： | 分离 酸根 离子 印迹 聚合物 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种分离高铼酸根离子的印迹聚合物的制备方法，其特征在于：该方法是以高铼酸根为模板离子，N‑乙烯基吡咯烷酮和丙烯酸为功能单体，N'N‑亚甲基双丙烯酰胺为交联剂，H2O2‑Vc为引发剂，水为溶剂，采用两步溶液聚合法制备出分离高铼酸根离子的印迹聚合物。
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