[发明专利]竖向延伸的存储器单元串的阵列和形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法

摘要

本申请涉及竖向延伸的存储器单元串的阵列和形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法。一种竖向延伸的存储器单元串的阵列包括交替的绝缘层与字线层的竖直堆叠。所述字线层具有对应于个别存储器单元的控制栅极区的末端。所述控制栅极区个别地包括所述字线层中的个别字线层中的字线的部分。所述个别存储器单元的电荷阻挡区竖向地沿着所述个别控制栅极区延伸。所述个别存储器单元的电荷存储材料竖向地沿着所述电荷阻挡区中的个别电荷阻挡区延伸。沟道材料竖向地沿着所述竖直堆叠延伸。绝缘电荷传递材料横向地位于所述沟道材料与所述电荷存储材料之间。竖向延伸的壁横向地分离所述字线中的横向紧邻的字线。所述壁包括横向外部绝缘材料和横向地横跨所述横向外部绝缘材料之间的含硅材料。所述含硅材料包括至少30原子％的元素形式硅或含硅合金中的至少一种。还公开了其它方面，包含方法。

主权项

1.一种形成竖向延伸的存储器单元串的阵列的方法，所述方法包括：/n形成包括竖直交替的绝缘层与字线层的堆叠；/n将水平延长的沟槽形成到所述堆叠中；/n在所述沟槽中的个别沟槽的侧壁上方且竖向地沿着所述侧壁在所述个别沟槽中形成绝缘材料内衬；/n在所述个别沟槽中竖向地沿着且横向地横跨所述绝缘材料内衬之间形成含硅材料，所述含硅材料包括至少30原子％的元素形式硅或含硅合金中的至少一种；/n竖向地沿着所述交替层且与所述绝缘材料内衬横向地间隔开地设置晶体管沟道材料的竖向延伸的串；以及/n设置所述字线层以包括控制栅极材料，所述控制栅极材料具有对应于个别存储器单元的控制栅极区的末端、所述晶体管沟道材料与所述控制栅极区之间的电荷存储材料、所述晶体管沟道材料与所述电荷存储材料之间的绝缘电荷传递材料、和所述电荷存储材料与所述控制栅极区中的个别控制栅极区之间的电荷阻挡区。/n