[发明专利]硅的背侧上的磁性隧道结(MTJ)集成在审
| 申请号： | 201910451068.4 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110660821A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | S·马尼帕特鲁尼;T·戈萨维;I·扬;D·尼科诺夫 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器件，其包括具有正侧和背侧的衬底，其中，第一导线在所述背侧上，并且第二导线位于所述正侧上。晶体管在所述正侧上处于所述第二导线与衬底之间。磁性隧道结(MTJ)在背侧上处于第一导线和衬底之间，其中，所述MTJ的一端通过所述衬底耦合至所述晶体管，并且所述MTJ的相对端连接至所述第一导线，并且其中，所述晶体管进一步连接至所述正侧上的第二导线。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 晶体管 磁性隧道结 存储器件 耦合 相对端 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：/n具有正侧和背侧的衬底，其中，第一导线在所述背侧上并且第二导线在所述正侧上；/n晶体管，其在所述正侧上且处于所述第二导线与所述衬底之间；以及/n磁性隧道结(MTJ)，其在所述背侧上且处于所述第一导线和所述衬底之间，其中，所述MTJ的一端通过所述衬底耦合至所述晶体管，并且所述MTJ的相对端连接至所述第一导线，并且其中，所述晶体管进一步连接至所述正侧上的所述第二导线。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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