[发明专利]高分子基板的制造方法及电子装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910451073.5 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110556285A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 小山田洸介;元田总一郎;松本晃 | 申请（专利权）人： | 双叶电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12;H01L51/00 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 高分子基板的制造方法依次具备：基板形成工序，在支撑体的表面形成具有酰亚胺基的高分子基板；阻挡膜形成工序，形成覆盖高分子基板的阻挡膜；热处理工序，对支撑体、高分子基板及阻挡膜进行热处理；及剥离工序，从支撑体剥离高分子基板。 | ||
| 搜索关键词： | 高分子基板 阻挡膜 支撑体 基板形成工序 热处理工序 支撑体剥离 热处理 剥离工序 表面形成 形成工序 酰亚胺基 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种高分子基板的制造方法，其依次具备：/n基板形成工序，在支撑体的表面形成具有酰亚胺基的高分子基板；/n阻挡膜形成工序，形成覆盖所述高分子基板的阻挡膜；/n热处理工序，对所述支撑体、所述高分子基板及所述阻挡膜进行热处理；及/n剥离工序，从所述支撑体剥离所述高分子基板。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
