[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910451549.5 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN112017948B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 纪世良;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括第一区域和第二区域，形成于第二区域的目标图形间距大于形成于第一区域的目标图形间距；在基底上形成底部核心材料层；在底部核心材料层上形成第一核心层；在第一核心层侧壁上形成第一掩膜侧墙；在第二区域第一掩膜侧墙侧壁上形成第二掩膜侧墙，第二掩膜侧墙与第二区域第一掩膜侧墙构成第三掩膜侧墙；去除第一核心层；以第一掩膜侧墙和第三掩膜侧墙为掩膜图形化底部核心材料层，形成第二核心层；去除第一掩膜侧墙和第三掩膜侧墙；在第二核心层侧壁上形成第四掩膜侧墙；去除第二核心层；以第四掩膜侧墙为掩膜图形化基底，形成凸出于剩余基底的目标图形。本发明满足目标图形的不同间距需求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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