[发明专利]FinFET器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201910451973.X | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110957362B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 什哈吉·B·摩尔;张世杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了FinFET器件及其形成方法。该方法包括：在衬底上形成半导体条。在衬底上和相邻的半导体条之间形成隔离区。对隔离区执行第一凹进工艺以暴露半导体条的第一部分。再成形半导体条的第一部分以形成半导体条的再成形的第一部分。对隔离区执行第二凹进工艺，以暴露位于半导体条的再成形的第一部分下方的半导体条的第二部分。再成形半导体条的第二部分以形成半导体条的再成形的第二部分。半导体条的再成形的第一部分和半导体条的再成形的第二部分形成鳍。鳍远离隔离区的最顶部表面延伸。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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