[发明专利]背接触式太阳能电池中原位表面再钝化的方法

摘要

提供一种用于为背接触式太阳能电池产生交指状图案的方法，所述方法包括：沉积第一钝化层叠体，所述第一钝化层叠体包含第一掺杂类型的a‑Si；通过使用第一干蚀刻工艺使得第一钝化层叠体图案化，以产生表面的一个或多个暴露区域和一个或多个包含第一掺杂类型的a‑Si的区域；对上述表面的一个或多个暴露区域进行清洁以去除第一干蚀刻工艺残留的污染物；以及沉积第二钝化层叠体，从而与图案化的第一钝化层叠体一起形成交指状图案，所述第二钝化层叠体包含与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的a‑Si。清洁可以包括至少在表面暴露区域上沉积牺牲层，并且在不超过250℃的温度下通过第二干蚀刻工艺去除牺牲层。

主权项

1.一种用于为背接触式太阳能电池产生交指状图案的方法，所述方法包括：/n在所述太阳能电池的硅基材的表面上沉积第一钝化层叠体，所述第一钝化层叠体包含至少一层第一掺杂类型的无定形硅a-Si；/n通过使用第一干蚀刻工艺使第一钝化层叠体图案化，由此产生所述表面的一个或多个暴露区域和一个或多个包含第一掺杂类型的a-Si的区域；/n对所述表面的所述一个或多个暴露区域进行清洁以去除第一干蚀刻工艺残留的污染物；以及/n在所述清洁后沉积第二钝化层叠体，从而在所述表面的一个或多个暴露区域上产生一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si的区域，所述第二钝化层叠体包含不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型的a-Si；/n其中，图案化的第一钝化层叠体和一个或多个包含第二掺杂类型的a-Si的区域形成交指状图案，并且/n其中，所述清洁包括：/n至少在所述表面的所述一个或多个暴露区域上沉积牺牲层；以及/n通过第二干蚀刻工艺去除所述牺牲层，其中，牺牲层的所述沉积和去除在不超过250℃的温度下进行。/n