[发明专利]一种应用于高灵敏度气体传感器的场效应晶体管在审
| 申请号： | 201910454188.X | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110186979A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 渠开放;江斌;程庆苏;李桂华;吉娜;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种应用于高灵敏度气体传感器的场效应晶体管，包括导电沟道、源区、漏区、栅极氧化层、源极、漏极、栅极；所述导电沟道由三层纵向异质结构组成，从下至上依次为WSe2、BN、BP；导电沟道的上下表面分别设有栅极氧化层；栅极氧化层外表面沉淀有金属电极，作为栅极。该场效应管用于气体传感器灵敏度高，稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 气体传感器 栅极氧化层 导电沟道 场效应晶体管 高灵敏度 场效应管 金属电极 上下表面 异质结构 灵敏度 漏极 漏区 三层 源极 源区 沉淀 应用 | ||
【主权项】：
1.一种应用于高灵敏度气体传感器的场效应晶体管，其特征在于：包括导电沟道(1)、源区(2)、漏区(3)、栅极氧化层(4)、源极、漏极、栅极；所述导电沟道由三层纵向异质结构组成，从下至上依次为WSe2、BN、BP；导电沟道(1)的上下表面分别设有栅极氧化层(4)；栅极氧化层外表面沉淀有金属电极，作为栅极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学，未经南京邮电大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910454188.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
