[发明专利]一种增加再分布层结合力的芯片封装方法及封装结构

摘要

本发明公开了一种增加再分布层结合力的芯片封装方法，通过对再分布层的表面进行烘烤处理，增大了再分布层表面的粗糙度，增强了再分布层在后续封装制程中的结合力，在信赖性试验中耐受性更强，满足了芯片的应力需求；另外，由于再分布层粗糙处理后满足了芯片的应力要求，可以省去现有技术中再分布层下的钝化层，相对简化了封装工艺流程、节约了生产成本。本发明还公开了采用该增加再分布层结合力的芯片封装方法形成的封装结构。本发明相对于现有技术，具有封装工艺简单、封装成本低和可靠性高的优点，封装后芯片在信赖性试验中耐受性更强，性能优异，适用于各类电子元器件产品。

主权项

1.一种增加再分布层结合力的芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：提供表面具有第一钝化层(3)的晶圆(1)，所述晶圆(1)上设有焊垫(2)，所述第一钝化层(3)上开设有供所述焊垫(2)露出的第一开口；在所述第一开口内形成第一金属层(4)；在所述第一金属层(4)及所述第一钝化层(3)上形成再分布层(5)，并对所述再分布层(5)的表面进行烘烤，以使所述再分布层(5)的表面粗糙化；在所述再分布层(5)的表面形成第二钝化层(6)，所述第二钝化层(6)上形成第二开口，所述第二开口暴露出需要导通部分；在所述第二开口内形成第二金属层(7)；在所述第二金属层(7)上形成与所述焊垫(2)电接触的凸点(9)。