[发明专利]一种测试芯片标记方法及芯片良率提升方法有效
申请号: | 201910456236.9 | 申请日: | 2019-05-29 |
公开(公告)号: | CN110310898B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 李春阳;方梁洪;钟志明;任超;彭祎 | 申请(专利权)人: | 宁波芯健半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;贾允 |
地址: | 315336 浙江省宁波市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种测试芯片标记方法,所述方法包括:在晶圆内形成若干个芯片单元,并确定测试芯片的位置,所述测试芯片为晶圆无效区的芯片和/或晶圆光片区的芯片;将所述测试芯片涂覆光刻胶,并将光刻板与所述晶圆相对设置;通过所述光刻板对芯片进行曝光;进行显影处理,将所述测试芯片的识别图形区域及电镀开口区域的光刻胶显掉,其余区域光刻胶覆盖芯片表面;进行电镀处理,将电镀材料填充所述测试标识区域,形成测试标识。同时本发明还公开了一种芯片良率提升方法,通过对上述提供的测试芯片标记方法标记的芯片进行功能测试完成产品质量检测,减少功能芯片损耗,提高了封装的良率,同时降低单颗芯片的封装成本,提高产品竞争力。 | ||
搜索关键词: | 一种 测试 芯片 标记 方法 提升 | ||
【主权项】:
1.一种测试芯片标记方法,其特征在于,包括:在晶圆内形成若干个芯片单元,并确定测试芯片的位置,所述测试芯片为晶圆无效区的芯片和/或晶圆光片区的芯片;根据所述测试芯片的位置,将所述测试芯片涂覆光刻胶,并将光刻板与所述晶圆相对设置;通过所述光刻板对所述测试芯片进行曝光;进行显影处理,将所述测试芯片的识别图形区域及电镀开口区域的光刻胶显掉,其余区域光刻胶覆盖芯片表面;进行电镀处理,将电镀材料填充所述测试标识区域,形成测试标识。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波芯健半导体有限公司,未经宁波芯健半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910456236.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造