[发明专利]形成RDL的方法和由其形成的结构有效
| 申请号： | 201910456698.0 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660686B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 郭宏瑞;谢昀蓁;蔡惠榕;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/18;H01L23/482 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括将器件管芯封装在封装材料中，平坦化器件管芯和封装材料，并形成电耦合至器件管芯的多个第一导电部件。形成多个第一导电部件的步骤包括沉积和蚀刻工艺，其包括沉积毯式含铜层，在毯式含铜层上方形成图案化的光刻胶，以及蚀刻毯式含铜层以将图案化的光刻胶的图案转印到毯式含铜层中。本发明实施例涉及形成RDL的方法和由其形成的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 rdl 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构的方法，包括：/n将器件管芯封装在封装材料中；以及/n形成电耦合至所述器件管芯的多个第一导电部件，其中，形成所述多个第一导电部件包括沉积和蚀刻工艺，包括：/n沉积毯式含铜层；/n在所述毯式含铜层上方形成图案化的光刻胶；和/n蚀刻所述毯式含铜层以将所述图案化的光刻胶的图案转印到所述毯式含铜层中。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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