[发明专利]一种槽型结型势垒肖特基二极管在审
| 申请号： | 201910458036.7 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110098263A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;范鑫;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种槽型结型势垒肖特基二极管，包括从下至上依次设置的底层金属层、N+衬底层和N‑外延层，其中，N‑外延层的上表面设置有若干个P型离子注入区，每个P型离子注入区内部设置有凹槽，相邻P型离子注入区之间的间距从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈增大趋势，凹槽的深度从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈增大趋势；N‑外延层上设置有隔离介质层和顶层金属层，隔离介质层环绕在N‑外延层上表面的四周，顶层金属层设置在N‑外延层和隔离介质层的上表面以及凹槽的内部。本发明的槽型结型势垒肖特基二极管，在保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化的前提下，有效抑制了局部电迁移现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 外延层 结型 势垒 隔离介质层 上表面 槽型 顶层金属层 种槽 正向导通电阻 底层金属层 反向漏电流 内部设置 依次设置 有效抑制 衬底层 电迁移 环绕 退化 保证 | ||
【主权项】：
1.一种槽型结型势垒肖特基二极管，其特征在于，包括从下至上依次设置的底层金属层(1)、N+衬底层(2)和N‑外延层(3)，其中，所述N‑外延层(3)的上表面设置有若干个P型离子注入区(4)，每个所述P型离子注入区(4)内部设置有凹槽(5)，相邻所述P型离子注入区(4)之间的间距从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈增大趋势，所述凹槽(5)的深度从所述槽型结型势垒肖特基二极管的边缘到中心呈增大趋势；所述N‑外延层(3)上设置有隔离介质层(6)和顶层金属层(7)，所述隔离介质层(6)环绕在所述N‑外延层(3)上表面的四周，所述顶层金属层(7)设置在所述N‑外延层(3)和所述隔离介质层(6)的上表面以及所述凹槽(5)的内部。
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