[发明专利]单晶硅的制造方法、外延硅晶片、以及单晶硅基板

摘要

技术问题：提供一种单晶硅的制造方法，其在通过氮掺杂来促进析出的低/无缺陷结晶单晶硅基板以及外延硅晶片中，即使在顶端的低温/短时间的器件工艺流程中也能够形成充分的BMD，并能够以较高的成品率制造具有较高的吸杂能力的晶片。解决方案：一种单晶硅的制造方法，其特征在于，利用切克劳斯基法通过在结晶整面为N‑区域的条件下进行提拉从而使单晶硅生长，以2×1013atoms/cm3以上且3.2×1014atoms/cm3以下的氮浓度掺杂氮，使单晶硅的提拉轴向的结晶中心部的温度梯度Gc与结晶周边部的温度梯度Ge的比为Ge/Gc＞1，与提拉单晶硅时的偏析所导致的氮浓度的增加相应地逐渐地增大Ge/Gc。

主权项

1.一种单晶硅的制造方法，其特征在于，是利用切克劳斯基法通过在结晶整面为N-区域的条件下进行提拉从而使单晶硅生长的方法，/n当使所述单晶硅生长时，在2×10¹³atoms/cm³以上且3.2×10¹⁴atoms/cm³以下的氮浓度下掺杂氮，/n使所述单晶硅的提拉轴向的结晶中心部的温度梯度Gc与结晶周边部的温度梯度Ge的比为Ge/Gc＞1，/n与在提拉所述单晶硅时的偏析所导致的氮浓度的增加相应地逐渐地增大所述Ge/Gc。/n