[发明专利]一种晶圆键合的激光加工方法有效
申请号: | 201910459842.6 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110085528B | 公开(公告)日: | 2020-09-18 |
发明(设计)人: | 陈洁 | 申请(专利权)人: | 苏州福唐智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/768 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种晶圆键合的激光加工方法,本发明的通孔是后续形成的,其与现有的键合方式不同,可以实现更为灵活的通孔形成方式。其可以实现激光的熔融焊接晶圆的同时,实现通孔的修复或者提供较为可靠的通孔结构;并且,由于激光通过通孔进行照射,属于局部加热至焊料上,而非整体加热以及加热至晶圆上,可以避免晶圆内的应力。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶圆键合 激光 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆键合的激光加工方法,包括如下步骤:(1)提供第一晶圆,所述第一晶圆具有相对的正面和背面,并在所述第一晶圆内形成贯通所述正面和背面的第一导电孔;(2)在所第一晶圆的正面上涂覆一层粘合层,并在对应所述第一导电孔的位置形成开窗;(3)利用植球工艺在所述开窗对应的位置设置焊料球;(4)提供第二晶圆,所述第二晶圆具有通孔结构,所述通孔结构对应于所述第一导电孔,该通孔结构包括具有第一宽度的通孔和具有第二宽度的盲孔,其中所述通孔的一端露出于所述第二晶圆的背面,另一端露出于所述盲孔的底部,且所述第一宽度小于所述第二宽度,以形成一阶梯形状;(5)将第二晶圆的正面与第一晶圆的正面压合在一起,经由所述通孔照射激光至所述焊料球的顶部,使得所述焊料球熔融并填充所述盲孔,并在所述通孔的所述另一端形成一弧形凸面;(6)利用导电材料填充所述通孔,以形成电连接所述导电孔的另一导电孔。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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