[发明专利]一种GaN倒装芯片的焊接方法

摘要

本发明涉及一种GaN倒装芯片的焊接方法，该方法的具体步骤包括，A、减少基板在化学镀镍钯浸金过程中Ni层厚度；B、在倒装芯片上植入第一层的锡球或者铜柱；C、在倒装芯片上的第一层的锡球或铜柱上使用点胶的方式涂抹助焊剂，利用真空吸附治具吸附第二层的锡球，将第二层的锡球放置在第一层的锡球或铜柱的助焊剂上，助焊剂将两层锡球或锡球与铜柱粘结，第二层的锡球的成分为SnAgCu；D、将粘结第二层的锡球的倒装芯片贴装在基板上，放入真空回流焊中进行焊接，该方法使倒装芯片的焊锡球与基板之间的焊接更为牢固，有效的避免了锡球与基板之间断裂情况的发生。

主权项

1.一种GaN倒装芯片的焊接方法，其特征在于：所述的方法的具体步骤包括，A、减少基板(1)在化学镀镍钯浸金过程中Ni层厚度；B、在倒装芯片(2)上植入第一层的锡球(3)或者铜柱；C、在倒装芯片(2)上的第一层的锡球(3)或铜柱上使用点胶的方式涂抹助焊剂，利用真空吸附治具吸附第二层的锡球(3)，将第二层的锡球(3)放置在第一层的锡球(3)或铜柱的助焊剂上，助焊剂将两层锡球(3)或锡球(3)与铜柱粘结，第二层的锡球(3)的成分为SnAgCu；D、将粘结第二层的锡球(3)的倒装芯片(2)贴装在基板(1)上，放入真空回流焊中进行焊接。