[发明专利]一种电子级高纯多晶硅还原启动设备和启动方法在审
| 申请号： | 201910461731.9 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110078079A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王清华 | 申请（专利权）人： | 重庆大全泰来电气有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 404001 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电子级高纯多晶硅还原启动设备和启动方法，包括微波发生装置和还原装置；还原装置包括第一电源组件和至少一个还原炉；还原炉的炉体具有微波馈入口，微波馈入口具有至少一层密封罩，密封罩与炉体构成密封的腔体；微波发生装置产生的微波透过密封罩进入炉体内，对炉体内的发热体进行加热，以使发热体的温度达到启动温度；第一电源组件用于在发热体的温度达到启动温度后，对发热体进行低电压供电，以使多晶硅沉积在发热体表面，从而避免了高电压供电带来的安全隐患，保证了设备的安全运行；并且，由于微波发生装置位于还原炉外，且微波是在穿透密封罩后，进入密封的炉体内部的，因此，不会引入杂质，从而保证了生成的多晶硅的高纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 发热体 密封罩 微波发生装置 还原炉 高纯多晶硅 微波馈入口 电源组件 还原装置 启动设备 电子级 炉体 密封 还原 微波 体内 低电压供电 多晶硅沉积 发热体表面 安全隐患 安全运行 炉体内部 多晶硅 高纯度 高电压 腔体 加热 穿透 保证 供电 引入 | ||
【主权项】：
1.一种电子级高纯多晶硅还原启动设备，其特征在于，包括微波发生装置和还原装置；所述还原装置包括第一电源组件和至少一个还原炉；所述还原炉的炉体具有微波馈入口，所述微波馈入口具有至少一层密封罩，所述密封罩与所述炉体构成密封的腔体；所述微波发生装置产生的微波透过所述密封罩进入所述炉体内，对所述炉体内的发热体进行加热，以使所述发热体的温度达到启动温度；所述第一电源组件用于在所述发热体的温度达到启动温度后，对所述发热体进行低电压供电，以使多晶硅沉积在所述发热体表面。
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