[发明专利]发光二极管以及具有该发光二极管的发光元件有效
| 申请号： | 201910461798.2 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110556457B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 禹尚沅;金艺瑟;朴泰俊;徐德壹 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/38;H01L33/48;H01L33/62;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;全振永 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管以及具有该发光二极管的发光元件。根据一实施例的发光二极管包括：n型半导体层；台面，以使n型半导体层的上表面部分暴露的方式位于n型半导体层上，并包括活性层及位于活性层上的p型半导体层；第一键合垫，电连接于n型半导体层；引线键合用第二键合垫，电连接于p型半导体层；以及第一绝缘层，至少一部分布置于通过台面暴露的n型半导体层的暴露区域与第二键合垫之间，其中，第一绝缘层覆盖通过台面暴露的n型半导体层的暴露区域中的最靠近第二键合垫的暴露区域与第二键合垫之间的p型半导体层区域的一部分，第一绝缘层沿邻近于暴露的n型半导体层的p型半导体层的边缘部位而布置。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 以及 具有 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，包括：/nn型半导体层；/n台面，以使所述n型半导体层的上表面部分暴露的方式位于所述n型半导体层上，并包括活性层及位于所述活性层上的p型半导体层；/n第一键合垫，电连接于所述n型半导体层；/n引线键合用第二键合垫，电连接于所述p型半导体层；以及/n第一绝缘层，至少一部分布置于通过所述台面暴露的n型半导体层的暴露区域与所述第二键合垫之间，/n其中，所述第一绝缘层覆盖通过所述台面暴露的n型半导体层的暴露区域中的最靠近所述第二键合垫的暴露区域与所述第二键合垫之间的所述p型半导体层区域的一部分，/n所述第一绝缘层沿邻近于暴露的所述n型半导体层的所述p型半导体层的边缘部位而布置。/n
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