[发明专利]一种贵金属修饰半导体纳米柱阵列结构的PDMS-ZnO/Au杀菌材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910461980.8 申请日: 2019-05-30
公开(公告)号: CN110150317B 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 孙航;汤亚男;秦蓁;尹升燕 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: A01N59/20 分类号: A01N59/20;A01N59/16;A01N25/10;A01P1/00
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 代理人: 刘世纯;王恩远
地址: 130012 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 一种贵金属修饰半导体纳米柱阵列结构的PDMS‑ZnO/Au杀菌材料及其制备方法,属于半导体杀菌材料技术领域。选择PDMS作为基底,通过水热法在PDMS上生长ZnO纳米柱阵列,然后采用光还原的方法在ZnO表面复合Au纳米粒子,得到所述杀菌材料。本发明制备的杀菌材料作为一种仿生纳米柱型杀菌表面,其上分布着如“鞋钉”般的结构,当发生细菌粘附后,表面的微纳米结构通过缓慢撕裂细胞膜的运行机制,使细菌失活;引入Au纳米粒子后,可以实现对可见光的利用,还可通过表面等离子共振效应促进光生空穴与光生电子的分离,有效地抑制了载流子的重组,进而提升光催化活性,光催化过程可产生的活性氧自由基具有强大杀菌功能。
搜索关键词: 一种 贵金属 修饰 半导体 纳米 阵列 结构 pdms zno au 杀菌 材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种贵金属修饰半导体纳米柱阵列结构的PDMS‑ZnO/Au杀菌材料的制备方法,其步骤如下:1)将PDMS单体和固化剂按8~12:1的重量比混合,搅拌均匀后真空干燥除去气泡,随后在50~100℃条件下固化1~3小时,得到PDMS样品膜;2)取10~20mM锌盐的醇溶液50~100mL,向其中逐滴加入10~50mM碱的醇溶液30~60mL,得到的混合溶液在50~100℃的条件下加热搅拌1~3小时,得到ZnO种子溶液;然后将步骤1)得到的PDMS样品膜浸在该ZnO种子溶液里1~5min,使ZnO种子均匀致密地覆盖在PDMS样品膜表面,随后在50~100℃条件下加热30~60min,使PDMS与ZnO之间的结合力更强,得到固定有ZnO种子的PDMS样品膜;3)取20~60mM锌盐的水溶液50~150mL,向其中加入20~60mM六次甲基四胺的水溶液50~100mL,室温下搅拌10~30min后将该混合溶液转移至反应釜中,并将步骤2)得到的固定有ZnO种子的PDMS样品膜浸入到该混合溶液中,在80~120℃条件下加热6~12小时,冷却至室温后用去离子水反复冲洗,干燥后得到PDMS‑ZnO样品膜;4)将步骤3)中得到PDMS‑ZnO样品膜置于质量分数0.01~0.2%的含金酸的水溶液中,用质量分数1%~5%的碱的水溶液调节pH至7~10,室温条件下光照20~60min,反应结束后将样品膜取出后用去离子水反复清洗,干燥后得到PDMS‑ZnO/Au杀菌材料。
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