[发明专利]一种二维二硫化钨薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201910462792.7 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110373718B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 吕燕飞;徐竹华;赵士超 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/00 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 杨舟涛 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种二维二硫化钨薄膜的制备方法，该方法采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，通过化学气相沉积法合成了WS |
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| 搜索关键词： | 一种 二维 硫化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维二硫化钨薄膜的制备方法，其特征在于：该方法采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，通过化学气相沉积法合成了WS2二维单分子/多分子层厚度的单晶材料，其中二硫化钨单晶形貌为三角形、六边形或枝形。
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