[发明专利]一种可改善低压扩散炉超温现象的扩散工艺调试方法有效
| 申请号： | 201910463282.1 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110211872B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张欢;苏世杰;陈绍光;蔡芬 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（合肥）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 叶春娜 |
| 地址： | 230088 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可改善低压扩散炉超温现象的扩散工艺调试方法，通过对低压扩散炉的工艺步骤预设温度进行阶梯式调试，使得扩散炉内各个温区升到目标温度的时间缩短、以及控制非炉口温区不会超过目标温度。本发明采用多步阶梯式升温，降低第二温区和第三温区的升温斜率，改善超温现象，改善控温，从而提升制程spc稳定性，使整个升温过程时间大大缩短，并提升了温度稳定性，节约时间，提升了产能和制程稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 低压 扩散 炉超温 现象 工艺 调试 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可改善低压扩散炉超温现象的扩散工艺调试方法，其特征在于：通过对低压扩散炉的工艺步骤预设温度进行阶梯式调试，使得扩散炉内各个温区升到目标温度的时间缩短、以及控制非炉口温区不会超过目标温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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