[发明专利]半导体封装结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201910464300.8 申请日: 2019-05-30
公开(公告)号: CN112018091A 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66;H01L23/485;H01L23/488;H01L21/60;H01Q1/22
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种半导体封装结构及其制备方法。该结构包括重新布线层,重新布线层包括介质层及金属连接层;第一玻璃基板,位于重新布线层的第二表面;金属连接柱,贯穿第一玻璃基板,且与金属连接层电性连接;第一天线层,与金属连接柱电性连接;第二玻璃基板,覆盖第一天线层;第二天线层,位于第二玻璃基板表面;透镜层,位于第二天线层的表面;金属凸块,与金属连接层电性连接;以及芯片,与金属连接层电性连接。本发明的半导体封装结构有助于缩小封装结构的体积,提高器件集成度,同时有助于降低成本,有利于提高天线的增益和波束宽度,提高器件性能。采用本发明的制备方法有助于简化制备工艺,降低生产成本。
搜索关键词: 半导体 封装 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
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