[发明专利]MOS管桥式电路的驱动电路及驱动方法及储能设备在审

专利信息
申请号: 201910465313.7 申请日: 2019-05-30
公开(公告)号: CN110086334A 公开(公告)日: 2019-08-02
发明(设计)人: 刘巍;李统成;周明亮 申请(专利权)人: 深圳可立克科技股份有限公司;惠州市可立克电子有限公司;惠州市可立克科技有限公司;信丰可立克科技有限公司;安远县美景电子有限公司
主分类号: H02M1/38 分类号: H02M1/38;H02M1/088
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 黄议本
地址: 518103 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请公开了一种MOS管桥式电路的驱动电路及驱动方法及储能设备。所述驱动电路包括单片机、半桥驱动线路、栅极电路、泄放电路和放电电路;所述半桥驱动线路包括带有死区时间控制的驱动芯片。所述驱动方法包括产生至少一组互补的正弦脉宽调制驱动信号,以及设定所述正弦脉宽调制驱动信号的死区时间;对所述一组互补的正弦脉宽调制驱动信号进行放大和转换;将放大和转换后的信号传输给所述MOS管以驱动所述MOS管;对所述MOS管关断时的栅极与源极之间的电压放电;对所述MOS管关断时的栅极与源极之间的电容放电。所述储能设备包括用于执行所述驱动方法的一个或多个程序。本申请可有效地控制半桥的工作,可降低异常情况下半桥的上下MOS管直接导通的风险。
搜索关键词: 正弦脉宽调制 驱动 储能设备 驱动电路 驱动信号 半桥驱动 桥式电路 关断 源极 放大 死区时间控制 有效地控制 电容放电 多个程序 放电电路 驱动芯片 泄放电路 信号传输 栅极电路 单片机 转换 放电 半桥 导通 死区 申请
【主权项】:
1.一种MOS管桥式电路的驱动电路,其特征在于:所述MOS管桥式电路包括至少一个半桥,所述半桥包括两个MOS管;所述驱动电路包括单片机、半桥驱动线路、栅极电路、泄放电路和放电电路;所述半桥驱动线路包括带有死区时间控制的驱动芯片;所述单片机可产生至少一组互补的正弦脉宽调制驱动信号,所述单片机可设定所述正弦脉宽调制驱动信号的死区时间;所述半桥驱动线路可对所述一组互补的正弦脉宽调制驱动信号进行放大和转换;所述栅极电路可将所述半桥驱动线路发出的信号传输给所述MOS管以驱动所述MOS管;所述泄放电路连接所述MOS管的栅极与源极,用于所述MOS管关断时的栅极与源极之间的电压放电;所述放电电路连接所述MOS管的栅极与源极,用于所述MOS管关断时的栅极与源极之间的电容放电。
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