[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910465345.7 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110379919B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 高海霞;郭静姝;姜鹏飞;张真斐;蒋欣孜 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器的制备方法包括：选择衬底层；在所述衬底层上生长第一电极；在所述第一电极上生长阻变层；在所述阻变层上生长若干第二电极；将一侧的所述阻变层、所述第二电极刻蚀掉直至漏出所述第一电极，以完成所述阻变存储器的制备。本发明在阻变存储器制备中通过为阻变层选择适当的掺杂剂，使得阻变存储器的存储窗口增大的同时阻变存储器还具有forming‑free特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：选择衬底层；在所述衬底层上生长第一电极；在所述第一电极上生长阻变层；在所述阻变层上生长若干第二电极；将一侧的所述阻变层、所述第二电极刻蚀掉直至漏出所述第一电极，以完成所述阻变存储器的制备。
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