[发明专利]一种二维材料的氧掺杂改性方法有效
| 申请号： | 201910465627.7 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110104687B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 杨奉佑;陈胜垚;王晓丰;刘前 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01G41/00;C01G47/00;C01B19/00;C01B19/04 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二维材料的氧掺杂改性方法。本发明提供的方法包括以下步骤：(1)将二维材料置于激光直写系统中，用定位系统找到待改性区域；(2)使用所述激光直写系统在步骤(1)所述待改性区域按照设定的图案进行激光直写，得到氧掺杂改性的二维材料。该方法通过利用定位系统精确定位二维材料的待改性区域，并按照图案对二维材料进行激光直写，可以实现对选定区域的氧掺杂改性，而不影响其他区域，该氧掺杂改性的方法精确度达到100nm；并且通过使用灰度图，根据所述灰度图的不同灰阶分别用不同能量的激光进行激光直写可实现不同掺杂位置具有不同的氧掺杂量，使得一个图形中的氧掺杂量可以连续变化，实现可控的梯度氧掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 材料 掺杂 改性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维材料的氧掺杂改性方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)将二维材料置于激光直写系统中，用定位系统找到待改性区域；(2)使用所述激光直写系统在步骤(1)所述待改性区域按照设定的图案进行激光直写，得到氧掺杂改性的二维材料。
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