[发明专利]Al-Sc-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法

摘要

本发明提供一种Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料包括铝、钪、锑、碲四种元素，所述Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料的化学通式为(AlSc2)x(Sb2Te)y，其中，0x≤1，0y≤1，且x+y＝1。这种材料可以通过调节材料中四种元素的含量得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料，适当调节(AlSc2)x(Sb2Te)y中元素比例，进而可以得到具有更好的热稳定性、更强的数据保持力和更快的结晶速度的相变材料。本发明的(AlSc2)x(Sb2Te)y相变材料制备方法简单，便于精确控制材料成分。

主权项

1.一种Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料，其特征在于，所述Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料包括铝、钪、锑、碲四种元素，所述Al‑Sc‑Sb‑Te相变材料的化学通式为(AlSc₂)_x(Sb₂Te)_y，其中，0<x≤1，0<y≤1，且x+y＝1。