[发明专利]制造集成电路的方法和设计集成电路的计算系统在审

专利信息
申请号: 201910466458.9 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN110728096A 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 金曜澖 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F30/31 分类号: G06F30/31;G06F30/3308;G06F115/12
代理公司: 11330 北京市立方律师事务所 代理人: 李娜
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种制造集成电路的方法和一种设计集成电路的计算系统。一种制造其中设置有半导体器件的集成电路的方法包括:根据接收到的工艺变量,通过使用包括多个模型参数的模型参数文件,对半导体器件的电特性进行仿真,基于仿真的结果生成布局数据,以及根据基于布局数据的半导体器件布局制造集成电路,其中,多个模型参数以关于工艺变量的至少一个函数的形式存储在模型参数文件中。
搜索关键词: 模型参数 集成电路 半导体器件 布局数据 工艺变量 制造 半导体器件布局 计算系统 结果生成 电特性 存储
【主权项】:
1.一种制造集成电路的方法,所述集成电路中设置有半导体器件,所述方法包括:/n使用至少一个处理器,根据至少一个接收到的工艺变量,使用包括多个模型参数的模型参数文件,对所述半导体器件的特性进行仿真,所述多个模型参数对应于与所述至少一个工艺变量相关联的至少一个函数;/n使用所述至少一个处理器,基于所述仿真的结果生成半导体器件布局数据;以及/n根据基于所述半导体器件布局数据的半导体器件布局,制造所述集成电路。/n
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