[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供了半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括栅电极的垂直堆叠。所述栅电极以不同的长度延伸以提供接触区域。所述栅电极具有导电区域和绝缘区域。接触栓填充在所述接触区域中穿过所述栅电极的堆叠的接触孔。所述接触栓连接到所述栅电极。所述接触栓在所述接触区域中穿过一个栅电极的导电区域并电连接到该栅电极，并且穿过其他栅电极的所述绝缘区域。所述绝缘区域在所述栅电极与所述接触栓相交的区域中设置在所述接触孔的外部。

主权项

1.一种半导体器件，包括：/n多个栅电极，所述多个栅电极在垂直于衬底的上表面的方向上堆叠并且彼此间隔开，所述多个栅电极在一个方向上以彼此不同的长度延伸以提供多个接触区域，并且所述多个栅电极中的每一个栅电极具有导电区域和绝缘区域；以及/n多个接触栓，所述多个接触栓填充在所述接触区域中穿过堆叠在所述衬底上的全部所述多个栅电极的接触孔，所述多个接触栓连接到所述多个栅电极，/n其中，所述多个接触栓中的每一个接触栓穿过所述多个栅电极中的一个栅电极的导电区域并电连接到所述一个栅电极，并且穿过所述多个栅电极中的其他栅电极的多个绝缘区域，以及/n其中，所述多个栅电极中的每一个栅电极的绝缘区域设置在所述多个栅电极与所述多个接触栓相交的区域中的所述接触孔的外部。/n