[发明专利]倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法在审
| 申请号： | 201910469261.0 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110098300A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘岩;闫宝玉;刘鑫;鲁洋;刘宇轩;陈顺利 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/20;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭玮;李双皓 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本申请提供一种倒装发光二极管芯片和倒装发光二极管芯片制作方法，在倒装发光二极管芯片的四周边缘位置设置N型金属电极层，在倒装发光二极管芯片中间部分设置P型金属电极层。即使倒装发光二极管芯片边缘的绝缘层破损，出现锡膏与P或N极连接，也不会导致P型金属电极层与N型金属电极层发生短路，出现漏电失效的情况。同时，通过发光层、P型半导体层以及P极金属层设置于倒装发光二极管芯片中间部分，使得Mesa台阶(量子阱)远离芯片边缘，解决了传统倒装LED芯片的P电极N电极容易短路、无隔离槽设计的漏电风险。从而可有效降低漏电风险，提高了产品工作可靠性，提升产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装发光二极管芯片 漏电 短路 绝缘层 倒装LED芯片 工作可靠性 产品良率 四周边缘 芯片边缘 发光层 隔离槽 金属层 量子阱 锡膏 制作 破损 申请 | ||
【主权项】：
1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：衬底(1)；N型半导体层(2)，设置于所述衬底(1)表面，所述N型半导体层(2)远离所述衬底(1)的部分表面依次设置有发光层(8)、P型半导体层(3)和P极金属层(4)；所述N型半导体层(2)的边缘与所述P型半导体层(3)的边缘包围形成N型半导体台阶(9)；绝缘层(5)，设置于所述N型半导体台阶(9)的边缘和所述P极金属层(4)的边缘，且所述绝缘层(5)将所述P极金属层(4)边缘、所述P型半导体层(3)边缘和所述发光层(8)边缘覆盖，并露出所述N型半导体台阶(9)中间部分和所述P极金属层(4)中间部分；N型金属电极层(7)，设置于所述N型半导体台阶(9)，且所述N型金属电极层(7)延伸至所述N型半导体台阶(9)边缘，用以实现与所述N型半导体层(2)的电连接；P型金属电极层(6)，设置于所述P极金属层(4)，用以实现与所述P型半导体层(3)的电连接。
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