[发明专利]一种硅片清洗方法和清洗装置在审
| 申请号： | 201910469916.4 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110085513A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 宫尾秀一 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;胡影 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅片清洗方法和清洗装置，硅片清洗方法包括以下步骤：在利用药液对硅片进行蚀刻后，将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；取出浸水槽中的硅片后，将硅片依次置于第N冲洗槽、第N‑1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在第1冲洗槽中清洗结束后，取出硅片并结束清洗；向第1冲洗槽供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N‑1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；N为大于1的整数。通过上述方法，能够有效清洗硅片表面的药液，降低硅片表面的药液或杂质的残留量，提高清洗效果和清洗效率，减少清洗硅片时水的消耗量。 | ||
| 搜索关键词： | 冲洗槽 硅片 清洗 硅片清洗 硅片表面 清洗装置 浸水槽 清洗液 流出 取出 供应清洗液 蚀刻 清洗效果 清洗效率 浸入 残留量 超纯水 消耗量 溢流 | ||
【主权项】：
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：在利用药液对硅片进行蚀刻后，将所述硅片浸入盛有超纯水的浸水槽内清洗；取出所述浸水槽中的所述硅片后，将所述硅片依次置于第N冲洗槽、第N‑1冲洗槽、…、第1冲洗槽进行清洗，在所述第1冲洗槽中清洗结束后，取出所述硅片并结束清洗；其中，向第1冲洗槽供应清洗液并使其处于溢流状态，第1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第2冲洗槽中，以此类推，第N‑1冲洗槽溢流出的清洗液供应至第N冲洗槽；N为大于1的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
